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鋁酸鑭基片上沉積制備納尺度的銅薄膜，超微量天平精準測量沉積質(zhì)量
來(lái)源：第十二屆全國物理力學(xué)學(xué)術(shù)會(huì )議論文 瀏覽 688 次 發(fā)布時(shí)間:2025-02-11
摘要：在稀薄氧壓下，用電子束蒸發(fā)的方法在鋁酸鑭（LaAlO3）基片上沉積制備納尺度的銅薄膜?；诔⒘刻炱綄Τ练e質(zhì)量的精確測量，以及ICP-AES對薄膜中金屬元素的準確分析，研究了基片溫度和氧分壓對銅原子在鋁酸鑭基片表面吸附系數的影響。同時(shí)，用超微量天平精確測量沉積薄膜的總質(zhì)量，并用ICP-AES分析薄膜中銅元素的質(zhì)量，進(jìn)而確定了納尺度銅薄膜的氧化程度，通過(guò)改變氧分壓和基片溫度，獲得了銅薄膜的氧化程度與氧分壓和基片溫度之間的關(guān)系。用XRD分析了薄膜結構，用SEM觀(guān)察了薄膜表面形貌，這些研究結果為三源共蒸發(fā)原位制備YBCO薄膜中基片溫度和氧分壓的選擇提供了依據。
圖1. 在CO2飽和的0.1 M KHCO3/H2O電解質(zhì)中，（a）制備前銅薄膜和（b）陽(yáng)極氧化銅薄膜在1700-2300 cm-1區域的原位SEIRAS光譜。0 V處的光譜用作背景。