緩沖氧化物蝕刻液（BOE）通過(guò)去除或減薄半導體硅片薄膜未被光阻覆蓋的氧化層部分而達到蝕刻的目的，常用于微結構制作和硅基發(fā)光器件中。

BOE蝕刻液通常以超純水為溶劑，將一定濃度HF和NH4F按一定比例混合，得到所需配比的BOE蝕刻液。但上述制備方法得到的BOE蝕刻液表面張力很大，對半導體硅片蝕刻層的潤濕性不能達到理想效果，導致光刻膠嚴重變形?，F有技術(shù)中，常通過(guò)向蝕刻液中引入表面活性劑來(lái)提高蝕刻潤濕性和均一性。但是由于BOE蝕刻液自身特性，表面活性劑在蝕刻液中的均勻分散存在困難，通常需要花費長(cháng)時(shí)間的攪拌來(lái)保證表面活性劑均勻分散。

因此，如何獲得兼具高潤濕性和較小的表面張力的緩沖氧化物蝕刻液（BOE）成為亟需解決的問(wèn)題。

針對目前BOE蝕刻液潤濕性不理想的問(wèn)題，提出一種高潤濕性緩沖氧化物蝕刻液，該蝕刻液具有高潤濕性和較小的表面張力，能實(shí)現微細加工和芯片制造中的圖案和結構形成，解決現有蝕刻液蝕刻不均勻和蝕刻后圖案變形問(wèn)題。

一種高潤濕性緩沖氧化物蝕刻液，包括重量配比如下的各組分：

氫氟酸530份；

含氟離子的多羥基烷基季銨鹽110份；

光刻膠保護劑0.11份；

增溶劑15份；

超純水2060份；

采用蝕刻液蝕刻晶圓表面氧化硅層的方法如下：

步驟1：將蝕刻液放置在40L的化學(xué)槽中，保持溫度在25℃，將晶圓垂直放置在卡槽內，蝕刻液以4L/min的速度進(jìn)行循環(huán)；

步驟2：待步驟1的蝕刻結束后，將晶圓放置在裝滿(mǎn)超純水的化學(xué)槽中，所述化學(xué)槽中超純水以4L/min的速度進(jìn)行循環(huán)，放置5min后取出；

步驟3：用100L/min流量的高純氮氣吹掃晶圓表面13min，即完成晶圓表面氧化硅層的蝕刻處理。

性能測試1表面張力：

利用表面張力儀測得表面張力數據。測試結果參見(jiàn)表5；

性能測試2潤濕性和光刻膠變形情況：

在光學(xué)顯微鏡下觀(guān)察形貌，通過(guò)蝕刻后形貌判斷潤濕性和光刻膠變形情況，若潤濕性好，則孔隙中無(wú)SiO2

殘留且光刻膠無(wú)變形脫落，反之則脫落嚴重。

性能測試3多羥基烷基季銨鹽FTIR：

使用ATR附件，掃描背景去除雜峰后將取少量多羥基烷基季銨鹽放在測試位置開(kāi)始進(jìn)行紅外光譜掃描。在3300nm1附近的寬吸收峰可歸屬為羥基吸收峰，亞甲基的吸收峰分別位于2900nm1和1200~1400nm1附近，1100nm1處為CF的吸收峰區。

采用多羥基烷基季銨鹽和茚類(lèi)的光刻膠保護劑的組合，能夠顯著(zhù)降低蝕刻液的表面張力，提高對基材的潤濕性，在蝕刻過(guò)程中保護光刻膠的非正常形變與脫落。